3DD3040A3-H دیتاشیت

3DD3040A3-H

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 3DD3040A3-H
حجم فایل 66.055 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

مشاهده دیتاشیت 3DD3040A3-H

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD3040A3-H
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 2A
  • Power Dissipation (Pd): 30W
  • Transition Frequency (fT): 5MHz
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 450V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@1A,250mA
  • Package: TO-251
  • Manufacturer: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics

محصولات مشابه